一种发光二极管外延片结构及制备方法

摘要

本发明提供一种发光二极管外延片结构及制备方法，由下至上包括：衬底、缓冲层、非掺氮化镓层、N型区、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型区以及P型接触层；其特征在于：分别采用NGaN/N-UGaN和PGaN/P-UGaN的超晶格结构形成N型区和P型区，在N型区的NGaN与N-UGaN之间插入SiN层，在P型区的PGaN与P-UGaN之间插入MgN层。本发明藉由一定厚度的SiN和MgN插入层发挥修复位错的作用，在同位错级别条件下具备掺入更高浓度的Si和Mg的能力，且SiN和MgN构成的较薄掩膜层对电子和空穴具备一定的束缚能力，可提高二维电子气的存在集中度，增强抗静电能力。

主权项

一种发光二极管，外延片结构包括：衬底，依次形成于衬底上的缓冲层、非掺氮化镓层、N型区、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型区以及P型接触层；其特征在于：分别采用NGaN/N‑UGaN和PGaN/P‑UGaN的超晶格结构形成N型区和P型区，在N型区的NGaN与N‑UGaN之间插入SiN层，在P型区的PGaN与P‑UGaN之间插入MgN层。