发明名称 特高压直流分层接入方式下混联系统强弱判断的计算方法
摘要 本发明提出了一种特高压直流分层接入方式下交直流混联系统强弱判断的计算方法,所述方法包括以下步骤:根据特高压直流分层接入方式下交直流系统的等效模型,建立系统的特性方程;提出分层临界短路比和分层边界短路比的定义;计算交直流系统的临界短路比和边界短路比大小;根据短路比、临界短路比和边界短路比的相对大小判断混联系统强弱。本发明提出的量化计算方法为特高压直流分层接入方式混联系统的稳定性研究提供了很好的理论依据,对特高压直流分层接入工程的建设及运行具有一定的指导意义。
申请公布号 CN105356523A 申请公布日期 2016.02.24
申请号 CN201510855705.6 申请日期 2015.11.30
申请人 东南大学 发明人 汤奕;陈斌;皮景创;朱亮亮;王琦;李辰龙
分类号 H02J5/00(2016.01)I;G06F19/00(2011.01)I 主分类号 H02J5/00(2016.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 杨陈庆
主权项 特高压直流分层接入方式下混联系统强弱判断的计算方法,其特征在于,方法包括以下步骤:步骤1:基于特高压直流分层接入方式下交直流系统的等效模型,建立系统的特性方程;步骤2:提出交直流系统的分层接入短路比、分层临界短路比和分层边界短路比的定义并给出计算方法:分层接入方式下受端系统短路容量与直流系统等效功率的比值为分层接入短路比HCSCR,其计算方法为:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>HCSCR</mi><mi>i</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mrow><mi>a</mi><mi>c</mi><mi>i</mi></mrow></msub><msub><mi>P</mi><mrow><mi>d</mi><mi>e</mi><mi>q</mi><mi>i</mi></mrow></msub></mfrac><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000862240820000011.GIF" wi="422" he="141" /></maths>式中,HCSCR<sub>i</sub>为第i层的分层接入短路比;S<sub>aci</sub>、P<sub>deqi</sub>分别为第i层的受端短路容量和直流侧等效功率;分层接入方式下,当受端系统较弱,短路比较小时,可能存在额定运行点在受端接纳功率曲线的右侧,系统功率不稳定的情况。定义当受端系统额定运行点与受端最大接纳功率点重合时的短路比为分层临界短路比HCCSCR,两层系统的分层临界短路比计算方法分别为:<maths num="0002" id="cmaths0002"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>HCCSCR</mi><mn>1</mn></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><mi>H</mi><mi>C</mi><mi>P</mi><mi>R</mi><mo>+</mo><mn>1</mn></mrow><mrow><mi>H</mi><mi>C</mi><mi>P</mi><mi>R</mi></mrow></mfrac><mi>x</mi><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>2</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000862240820000012.GIF" wi="549" he="111" /></maths>HCCSCR<sub>2=</sub>(HCPR+1)x   (3);一般情况下,要求12脉动换流器的换相角运行在小于30°的范围内,定义受端最大接纳功率点对应的换相角为30°时对应的分层短路比为分层边界短路比HCBSCR,两层系统的分层边界短路比计算方法分别为:<maths num="0003" id="cmaths0003"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>HCBSCR</mi><mn>1</mn></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><mi>H</mi><mi>C</mi><mi>P</mi><mi>R</mi><mo>+</mo><mn>1</mn></mrow><mrow><mi>H</mi><mi>C</mi><mi>P</mi><mi>R</mi></mrow></mfrac><msup><mi>x</mi><mo>&prime;</mo></msup><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>4</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000862240820000013.GIF" wi="542" he="102" /></maths>HCBSCR<sub>2=</sub>(HCPR+1)x'   (5);上述公式(2)、(3)、(4)、(5)中,HCPR为分层功率比;x、x'为与系统参数相关的变量。步骤3:根据分层短路比、分层临界短路比和分层边界短路比的相对大小判断受端系统强弱:极弱系统:HCSCR<HCCSCR弱系统:HCCSCR<HCSCR<HCBSCR强系统:HCSCR>HCBSCR。
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