| 发明名称 | 半导体芯片及形成芯片焊盘的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体芯片及形成芯片焊盘的方法。公开了一种具有不同芯片焊盘的半导体芯片以及形成具有不同芯片焊盘的半导体芯片的方法。在一些实施例中，该方法包括在芯片正面上方沉积阻挡层，在沉积阻挡层之后沉积铜层，以及去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分，其中在第一芯片焊盘区域内的铜层的剩余部分形成该芯片焊盘的表面层。该方法还包括去除位于第一芯片焊盘区域之外的阻挡层的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN105355570A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510617597.9 | 申请日期 | 2015.07.28 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | M·科伊茨;S·克拉姆普 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;刘春元 |
| 主权项 | 一种形成芯片焊盘的方法，该方法包括：在芯片正面上方沉积阻挡层；沉积阻挡层之后沉积铜层；去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分，其中第一芯片焊盘区域内的铜层的剩余部分形成该芯片焊盘的表面层；以及去除位于第一芯片焊盘区域之外的阻挡层的部分。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||