发明名称 一种石墨烯-金复合电极及其制备方法和应用
摘要 本发明公开了一种石墨烯-金复合电极,以多孔金属为基体,基体上直接生长石墨烯,所述的石墨烯上直接生长Au。本发明还公开了所述的石墨烯-金复合电极的制备方法和应用。所述的制备方法,具有工艺简单、成本低、周期短、能耗低等优点,适合大规模工业化生产;制备得到的石墨烯-金复合电极不含任何导电剂和粘结剂,由于特殊的多孔及夹层结构以及Au和石墨烯的协同催化作用,所述的复合电极用作锂-空电池正极时,显示出低的极化和较好的循环稳定性。
申请公布号 CN105355839A 申请公布日期 2016.02.24
申请号 CN201510666940.9 申请日期 2015.10.15
申请人 浙江大学 发明人 谢健;王国卿;毛阳俊;唐之初;曹高劭;赵新兵
分类号 H01M4/04(2006.01)I;H01M12/08(2006.01)I 主分类号 H01M4/04(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 黄燕
主权项 一种石墨烯‑金复合电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)以多孔金属M为基体,通过化学气相沉积法,直接在基体上生长石墨烯G,记为M/G;(2)将HAuCl<sub>4</sub>·4H<sub>2</sub>O溶于去离子水,制备氯金酸水溶液,冰浴条件下,缓慢搅拌0.5~2小时;将步骤(1)得到的M/G浸入上述氯金酸水溶液中,静置完成,取出反应产物,经去离子反复清洗,真空烘干;(3)在氩气气氛下,将步骤(2)得到的烘干产物在200~500℃下焙烧1~4h,冷却后得到所述的M/G‑Au复合电极材料。
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