一种使用化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明公开了一种使用化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜太阳能电池的方法，其特征在于括如下步骤：(1)对衬底进行预处理；(2)在预处理后的衬底表面涂覆TiO₂致密层；(3)一步法制备钙钛矿材料层；(4)在钙钛矿材料层上旋涂制备Spiro-OMeTAD太阳能电池空穴传输层；(5)将步骤(1)-(4)制备的器件烘干，完成阴极金属电极沉积，得到钙钛矿薄膜太阳能电池。本发明利用简单的气相运输方法，开发了一种简单的一步的化学气相沉积(CVD)法，不依赖高真空设备来制备卤化物钙钛矿太阳能电池，使其能量转化效率超过11％。

主权项

一种使用化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜太阳能电池的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)对衬底进行预处理；(2)在预处理后的衬底表面涂覆TiO₂致密层；(3)将甲基碘化胺和卤化铅分别放入两个坩埚中并置于管式炉上风口，涂覆有TiO₂致密层的衬底置于管式炉下风口，甲基碘化胺和卤化铅两种反应源同时蒸发成为气相反应源，通过惰性气体运载气相反应源至衬底，加热衬底完成反应，获得钙钛矿材料层；(4)在钙钛矿材料层上旋涂制备Spiro‑OMeTAD太阳能电池空穴传输层；(5)将步骤(1)‑(4)制备的器件烘干，完成阴极金属电极沉积，得到钙钛矿薄膜太阳能电池。