METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR APPARATUS

摘要

질화물 반도체층에서의 결정성이 양호하며, 전기적인 특성이 양호한 반도체 장치를 제공한다. 실리콘을 포함하는 재료에 의해 형성된 기판과, 상기 기판 상에 실리콘과 질소를 포함하는 재료에 의해 형성된 질화물층과, 상기 질화물층 상에 형성된 AlN층과, 상기 AlN층 상에 형성된 전자 주행층과, 상기 전자 주행층 상에 형성된 전자 공급층을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에 의해 상기 과제를 해결한다.