| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：电子渡越层（i-GaN层）；化合物半导体层（n-GaN层），形成在所述电子渡越层上；源电极以及漏电极，形成在所述化合物半导体层上；第一绝缘膜，形成在所述化合物半导体层上；以及栅电极，形成在所述绝缘膜上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内并在所述第一绝缘膜内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分；第二绝缘膜，沿所述凹入部分的内表面形成；以及电极，形成在所述第二绝缘膜上。本发明能在断电时间内降低泄漏电流，并优选地获得高阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102723362B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201210211258.7 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 今田忠纮;山田敦史 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/34(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;张志杰 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：电子渡越层；化合物半导体层，形成在所述电子渡越层上；源电极以及漏电极，形成在所述化合物半导体层上；第一绝缘膜，形成在所述化合物半导体层上；以及栅电极，形成在所述绝缘膜上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内并在所述第一绝缘膜内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分；第二绝缘膜，沿所述凹入部分的内表面形成；以及电极，形成在所述第二绝缘膜上；其中，形成在所述第二绝缘膜上的所述电极连接到所述源电极；以及所述凹入部分下方的二维电子气的密度由来自所述栅电极的电场控制，并且具有所述二维电子气的沟道的开/关通过二维电子气的所述密度来切换。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||