发明名称 光半导体封装、光半导体模块及它们的制造方法
摘要 光半导体封装(1A)具有插入件(10)、位于插入件(10)的主表面(10a)上并投射光的LED芯片(20)、和覆盖插入件(10)的主表面(10a)并且密封LED芯片(20)的透光性密封层(30)。在透光性密封层(30)的内部,围绕LED芯片(20)的光轴的筒状的空隙部(31)通过使用了脉宽为10<sup>-15</sup>秒以上10<sup>-11</sup>秒以下的超短脉冲激光的激光加工形成。由此,从LED芯片(20)出射的光在通过空隙部(31)和透光性密封层(30)形成的界面中的相当于空隙部(31)的内周面的部分的界面处被反射。
申请公布号 CN103430338B 申请公布日期 2016.02.24
申请号 CN201180069204.5 申请日期 2011.03.22
申请人 欧姆龙株式会社 发明人 广野聪;生驹学;井上直人;宫田毅;驹井和齐
分类号 H01L33/60(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I 主分类号 H01L33/60(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;黄纶伟
主权项 一种光半导体封装,其具有:基材,其具有主表面;光半导体元件,其位于所述基材的所述主表面上,投射或接收光;以及透光性密封层,其覆盖所述基材的所述主表面并且密封所述光半导体元件,通过在所述透光性密封层的内部设置围绕所述光半导体元件的光轴的形状的空隙部,构成为所述光在由所述空隙部和所述透光性密封层形成的界面中的相当于所述空隙部的内周面的部分的界面处被反射,所述空隙部是通过在所述透光性密封层照射脉宽为10<sup>‑15</sup>秒以上10<sup>‑11</sup>秒以下的超短脉冲激光而形成的,在位于所述空隙部的内侧且与所述基材所处一侧相反侧的部分的所述透光性密封层中,还设置有附加空隙部。
地址 日本国京都府京都市
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