| 发明名称 |
Silicon single crystalline ingot method and apparatus for manufacturing the ingot |
| 摘要 |
실시 예의 실리콘 단결정 잉곳은 수평 단면상에서 반경 방향으로의 비저항 편차가 2% 이내이다. |
| 申请公布号 |
KR101597207(B1) |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
| 申请号 |
KR20130141904 |
申请日期 |
2013.11.21 |
| 申请人 |
주식회사 엘지실트론 |
发明人 |
황정하;채계정 |
| 分类号 |
C01B33/02;C30B15/22;C30B29/06 |
主分类号 |
C01B33/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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