半导体衬底的表面处理方法

摘要

本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。本发明的优点在于，研磨工艺会在半导体衬底的表面形成一层自然氧化层，本发明采用了能够腐蚀半导体衬底的自然氧化层的氧化物抛光浆料对半导体衬底实施抛光，保证在对半导体衬底表面化学机械抛光之前，半导体衬底的表面是绝对无任何多余物质的，避免不同物质的机械强度不同对研磨造成影响。

主权项

一种半导体衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底；机械研磨减薄支撑衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述支撑衬底的被研磨减薄的表面，所述氧化物抛光浆料指的是能够腐蚀支撑衬底的自然氧化层的浆料；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述支撑衬底的被研磨减薄的表面；提供器件衬底；在器件衬底的已抛光表面和/或支撑衬底的一表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将支撑衬底和器件衬底键合在一起，形成半导体衬底；研磨减薄所述器件衬底的暴露表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述器件衬底的被研磨减薄的表面，所述氧化物抛光浆料指的是能够腐蚀器件衬底的自然氧化层的浆料；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述器件衬底的被研磨减薄的表面。