发明名称 |
一种薄膜晶体管阵列基板及修补方法 |
摘要 |
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及修补方法,该阵列基板包括基板;多条共用电极配线配置于基板上;多条扫描线和数据线交错配置在基板上以形成多个像素区域;多个像素单元配置于像素区域内,每个像素单元包括主像素电极和次像素电极,以及电性连接主像素电极和次像素电极的电荷分享单元;其中,电荷分享单元包括用于使主像素电极与次像素电极产生电压差的电荷电容。当电荷电容为瑕疵电容时,将其上电极或下电极与其周围连接的线路断开。本发明提出的修补方法不同于以往传统的修补手段,修补过程简单快捷,且修补之后像素单元仍然可以正常工作,只是不能有效解决大视角色偏问题,但是对整个像素单元的显示功能影响不大。 |
申请公布号 |
CN103605243B |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201310593815.0 |
申请日期 |
2013.11.21 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
衣志光;张骢泷 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
吴大建;刘华联 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法,所述阵列基板包括:基板;多条共用电极配线,配置于所述基板上;多条扫描线和数据线,交错配置在所述基板上以形成多个像素区域;多个像素单元,配置于所述像素区域内,每个所述像素单元包括:主像素电极和次像素电极,以及电荷分享单元,其电性连接所述主像素电极和次像素电极,并包括用于使所述主像素电极与次像素电极产生电压差的电荷电容;当所述电荷电容为瑕疵电容时,所述修补方法包括以下步骤:将瑕疵电容的上电极或下电极与其周围连接的线路断开,以形成电性绝缘。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |