发明名称 |
一种晶格匹配的六结太阳能电池 |
摘要 |
本发明公开了一种晶格匹配的六结太阳能电池,该电池以p型Ge单晶片为衬底,在Ge衬底上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR、Ga<sub>1-3x</sub>In<sub>3x</sub>N<sub>x</sub>As<sub>1-x</sub>子电池、AlAs/AlGaAs DBR、Ga<sub>1-3y</sub>In<sub>3y</sub>N<sub>y</sub>As<sub>1-y</sub>子电池、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池,其中AlGaAs/GaInAs DBR用于反射长波光子,AlAs/AlGaAs DBR用于反射中长波光子。本发明可以使光子被子电池二次吸收利用,提高子电池收集效率,从而提高六结太阳能电池整体的光电转换效率;同时,本发明还可以减小子电池厚度,降低电池生产成本。 |
申请公布号 |
CN105355680A |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201510811411.3 |
申请日期 |
2015.11.19 |
申请人 |
中山德华芯片技术有限公司 |
发明人 |
张小宾;王雷;马涤非;刘雪珍;刘建庆;张杨;杨柏 |
分类号 |
H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/052(2014.01)I;H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/074(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0304(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
梁莹 |
主权项 |
一种晶格匹配的六结太阳能电池,包括有Ge衬底,其特征在于:所述Ge衬底为p型Ge单晶片;在所述Ge衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR、Ga<sub>1‑3x</sub>In<sub>3x</sub>N<sub>x</sub>As<sub>1‑x</sub>子电池、AlAs/AlGaAs DBR、Ga<sub>1‑3y</sub>In<sub>3y</sub>N<sub>y</sub>As<sub>1‑y</sub>子电池、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池;所述GaInAs/GaInP缓冲层和AlGaAs/GaInAs DBR之间通过第一隧道结连接,所述Ga<sub>1‑3x</sub>In<sub>3x</sub>N<sub>x</sub>As<sub>1‑x</sub>子电池和AlAs/AlGaAs DBR通过第二隧道结连接,所述Ga<sub>1‑3y</sub>In<sub>3y</sub>N<sub>y</sub>As<sub>1‑y</sub>子电池和GaInAs子电池通过第三隧道结连接,所述GaInAs子电池和AlGaInAs子电池通过第四隧道结连接,所述AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池通过第五隧道结连接;其中,所述AlGaAs/GaInAs DBR用于反射长波光子,所述AlAs/AlGaAs DBR用于反射中长波光子。 |
地址 |
528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层 |