| 发明名称 | 应用于低温磁制冷中的R<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>氧化物材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 应用于低温磁制冷中的R<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>氧化物材料及其制备方法，R为Ho或D<sub>y</sub>；R<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>的氧化物材料具有正交型晶体结构，属于Pnma空间群；Ho<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>氧化物材料，在0T～5T的磁场变化下，其等温磁熵变为8.5J/kgK～10J/kgK；在0T～7T的磁场变化下，等温磁熵变为11.5J/kgK～13.5J/kgK；D<sub>y2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>氧化物材料在0T～5T的磁场变化下，等温磁熵变为7J/kgK～8J/kgK；在0T～7T的磁场变化下，等温磁熵变为10.5J/kgK～12.5J/kgK。制备方法为：采用溶胶凝胶法制备：(1)将氧化钬或氧化镝和硝酸铜混合后，与稀硝酸形成溶胶；(2)加入乙醇或去离子水溶解的柠檬酸，蒸干水分形成凝胶；(3)退火后形成烧结物；(4)压片成型，马弗炉烧结后冷却得成品。本发明制备的R<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>氧化物材料应用于低温区磁制冷领域。制备方法工艺简单、适用于工业化。 | ||
| 申请公布号 | CN105347797A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510655820.9 | 申请日期 | 2015.10.10 |
| 申请人 | 东北大学 | 发明人 | 李领伟 |
| 分类号 | C04B35/50(2006.01)I;C04B35/624(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人 | 梁焱 |
| 主权项 | 一种应用于低温磁制冷中的R<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>氧化物材料，R为Ho或Dy，其特征在于，所述的R<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>的氧化物材料具有正交型晶体结构，属于Pnma空间群；Ho<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>氧化物材料，在0T～5T的磁场变化下，等温磁熵变为8.5J/kgK～10J/kgK，在0T～7T的磁场变化下，等温磁熵变为11.5J/kgK～13.5J/kgK；Dy<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>5</sub>氧化物材料在0T～5T的磁场变化下，等温磁熵变为7J/kgK～8J/kgK，在0T～7T的磁场变化下，等温磁熵变为10.5J/kgK～12.5J/kgK。 | ||
| 地址 | 110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号 | ||