发明名称 一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池
摘要 本发明提供一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池,包括:量子阱层和间隔层,所述量子阱层和/或所述间隔层为p型掺杂。本发明提供的一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池,通过在量子阱和/或周围间隔层进行有意的p型掺杂,抑制量子阱结构的非辐射复合,从而促进光生载流子的有效分离,达到降低暗电流,提高短路电流的目的,最终获得大短路电流的三结太阳电池,通过本发明提供的p型掺杂量子阱结构能够增强载流子在大于880nm波段的响应,提高电池的短路电流密度。
申请公布号 CN105355683A 申请公布日期 2016.02.24
申请号 CN201510912065.8 申请日期 2015.12.11
申请人 上海空间电源研究所 发明人 周大勇;陈开建;施祥蕾;孙利杰;贾巍
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0256(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 上海航天局专利中心 31107 代理人 金家山
主权项 一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池,其特征在于,包括:量子阱层和间隔层,所述量子阱层和/或所述间隔层为p型掺杂。
地址 200245 上海市闵行区东川路2965号