自旋扭矩转移存储器单元结构及方法

摘要

本文中描述自旋扭矩转移STT存储器单元结构及方法。一个或一个以上STT存储器单元结构包括STT堆叠，所述STT堆叠包含：钉扎铁磁性材料，其与反铁磁性材料接触；隧穿势垒材料，其定位于铁磁性存储材料与所述钉扎铁磁性材料之间；多铁性材料，其与所述铁磁性存储材料接触；及第一电极及第二电极，其中所述反铁磁性材料、所述钉扎铁磁性材料及所述铁磁性存储材料位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述STT存储器单元结构可包含第三电极及第四电极，其中所述多铁性材料的至少第一部分位于所述第三电极与所述第四电极之间。

主权项

一种自旋扭矩转移STT存储器单元结构，其包括：STT堆叠，其包含：钉扎铁磁性材料，其与反铁磁性材料接触；隧穿势垒材料，其定位于铁磁性存储材料与所述钉扎铁磁性材料之间；多铁性材料，其与所述铁磁性存储材料接触；及第一电极及第二电极，其中所述反铁磁性材料、所述钉扎铁磁性材料及所述铁磁性存储材料位于所述第一电极与所述第二电极之间；及第三电极及第四电极，其中所述多铁性材料的至少第一部分位于所述第三电极与所述第四电极之间；及第五电极及第六电极，其中所述多铁性材料的至少第二部分位于所述第五电极与所述第六电极之间。