降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构

摘要

一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至V_DD。在一些实施例中，还提供了P⁺保护环并且P⁺保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。

主权项

一种半导体器件，包括：RF器件，作为噪声源形成在衬底上方；第一深N阱(DNW)杂质区，形成在所述衬底中并且围绕所述RF器件；以及第二DNW杂质区，形成在所述衬底中并且围绕所述第一DNW杂质区，其中，所述第一DNW杂质区和所述第二DNW杂质区设置在所述RF器件和器件区域之间，以防止所述RF器件产生的噪声到达所述器件区域，其中，所述半导体器件包括：围绕所述RF器件的至少一个P⁺保护环，所述至少一个P⁺保护环位于所述第一DNW杂质区和所述第二DNW杂质区之间。