| 发明名称 | 具有低正向偏置集成二极管的高电子迁移率晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有低正向偏置集成二极管的高电子迁移率晶体管。其中，该高电子迁移率晶体管包括：源极；栅极；漏极；具有二维电子气（2DEG）的第一III-V族半导体区，该二位电子气提供在源极和漏极之间的、由栅极控制的第一导电沟道；以及在第一III-V族半导体区下方并具有连接至源极或漏极且不由栅极控制的第二导电沟道的第二III-V族半导体区。第一和第二III-V族半导体区由具有不同于第一和第二III-V族半导体区带隙的高电子迁移率晶体管区将其互相隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN102956697B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201210298164.8 | 申请日期 | 2012.08.20 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | 吉贝托·库拉托拉;奥利弗·黑贝伦 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种高电子迁移率晶体管，包括：源极、栅极和漏极；具有二维电子气(2DEG)的第一III‑V族半导体区，所述二维电子气(2DEG)提供所述源极和漏极之间的、能够由所述栅极控制的第一导电沟道；第二III‑V族半导体区，在所述第一III‑V族半导体区下方并具有连接至所述源极或漏极且不能够由所述栅极控制的第二导电沟道；以及其中，所述第一和第二III‑V族半导体区由所述高电子迁移率晶体管的、具有不同于所述第一和第二III‑V族半导体区的带隙的区彼此分隔开。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||