发明名称 一种陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法,属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷材料由主晶相材料和掺杂相材料经球磨混合、预烧、干压成型、烧结制成,包括主晶相Mg<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>和掺杂相硅酸盐玻璃、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、ZnO、La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>;各组分的质量百分比含量为Mg<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>82~93%,硼硅酸盐玻璃5.4~16.4%,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>1~3%,ZnO0.3~2%,La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.3~2%;与现有技术的同类陶瓷材料相比,本发明具有优良的性能:成瓷密度ρ&gt;2.8g/cm<sup>3</sup>,较低的介电常数(ε<sub>r</sub>&lt;7.0)、高的抗弯强度(&gt;180MPa)和良好的热学性能(热导率&gt;5w/m·k);本发明工艺简单、价格低廉、生产重复性能好,使硅酸二镁陶瓷基板材料的高强度及低成本化生产成为可能。
申请公布号 CN105347781A 申请公布日期 2016.02.24
申请号 CN201510864295.1 申请日期 2015.12.01
申请人 电子科技大学 发明人 孙成礼;周晓华;李恩竹;张树人;唐斌
分类号 C04B35/20(2006.01)I 主分类号 C04B35/20(2006.01)I
代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人 葛启函
主权项 一种陶瓷材料,由主晶相材料和掺杂相材料经球磨混合、预烧、干压成型、烧结制成;其中:所述主晶相材料为Mg<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>,质量百分比为82~93%;所述掺杂相材料为包括硼硅酸盐玻璃、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、ZnO和La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的混合物,质量百分比为7~18%;所述掺杂相材料中各组份占整体陶瓷材料的质量百分比为:硼硅酸盐玻璃5.4~16.4%,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>1~3%,ZnO0.3~2%,La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.3~2%。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号