发明名称 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
摘要 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置,该薄膜晶体管包括基底以及设置在所述基底上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极,所述薄膜晶体管还包括凹槽,所述氧化物半导体层设置在所述凹槽中。本发明提供的薄膜晶体管,其中的氧化物半导体层可以采用溶液制程法制作,当对氧化物半导体层的前驱体溶液进行退火时,利用凹槽外的溶液向凹槽内流动的倾向性,对凹槽中溶液的收缩提供补给,使凹槽中形成的膜层不易产生气泡,并且通过设置凹槽,可以增大氧化物半导体层的附着力,防止氧化物半导体层变形脱落。
申请公布号 CN105355662A 申请公布日期 2016.02.24
申请号 CN201510742085.5 申请日期 2015.11.04
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 胡合合
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 李相雨
主权项 一种薄膜晶体管,包括基底以及设置在所述基底上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括凹槽,所述氧化物半导体层设置在所述凹槽中。
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