发明名称 |
一种晶圆级电子元器件 |
摘要 |
一种晶圆级电子元器件;在硅片晶圆基板(1)上布置有激光发射装置(2)、反射镜(3)、集成电路(4)且上述三者皆被封装在由玻璃晶圆镜头(5)、硅晶圆对峙架(6)和硅片晶圆基板(1)共同封闭的封装内腔(7)中;硅片晶圆基板(1)槽底布置有激光发射装置(2)、集成电路(4);硅片晶圆基板(1)的槽底与凹槽外凸上表面之间设置有过渡斜面(11);过渡斜面(11)上设置有过渡斜面(11)。本实用新型简化各部分结构,为优化布置提供了更多可能性和更好的技术基础;相关电子元器件的结构明显变化,体积更小,技术效果更好。 |
申请公布号 |
CN205051164U |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201520797634.4 |
申请日期 |
2015.10.15 |
申请人 |
罕王微电子(辽宁)有限公司 |
发明人 |
黄向向;道格拉斯·斯巴克斯;关健 |
分类号 |
H01S5/026(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/026(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 |
代理人 |
樊南星 |
主权项 |
一种晶圆级电子元器件;其封装基础是硅片晶圆基板(1),其上布置有激光发射装置(2)、反射镜(3)、集成电路(4)且上述三者皆被封装在由玻璃晶圆镜头(5)、硅晶圆对峙架(6)和硅片晶圆基板(1)共同封闭的封装内腔(7)中;激光发射装置(2)连接着集成电路(4),玻璃晶圆镜头(5)和硅片晶圆基板(1)之间通过硅晶圆对峙架(6)密封连接为一体;其特征在于:所述晶圆级电子元器件中,硅片晶圆基板(1)为一侧开口的凹槽式结构,其槽底上布置有激光发射装置(2)、集成电路(4);硅片晶圆基板(1)的槽底与凹槽外凸上表面之间设置有过渡斜面(11);过渡斜面(11)上设置有以湿法腐蚀硅工艺制备得到的硅斜面,并在硅斜面的基础上沉积金属制作得到具有反射激光能力的过渡斜面(11),即以沉积金属层后的该过渡斜面(11)用作所述晶圆级电子元器件的反射镜(3)。 |
地址 |
113000 辽宁省抚顺市经济开发区李石镇 |