| 摘要 |
본 발명은, 순도가 99.9 용량％ 이상, 부텐류가 합계로 1000 용량ppm 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 1-플루오로부탄, 이것의 드라이 에칭 가스로서의 사용, 및, 상기 고순도 1-플루오로부탄을 에칭 가스로서 사용하는 플라즈마 에칭 방법이다. 본 발명에 의하면, 반도체용의 플라즈마 반응용 가스로서 바람직한 고순도 1-플루오로부탄, 이것의 드라이 에칭 가스로서의 사용, 및, 상기 고순도 1-플루오로부탄을 에칭 가스로서 사용하는 플라즈마 에칭 방법이 제공된다. |
