| 发明名称 | 应用于动态随机存取记忆体的预先充电方法 | ||
| 摘要 | 应用于动态随机存取记忆体的预先充电方法，包含以下步骤：禁能主动阵列中的复数条字元线；平衡主动阵列以及参考阵列中的复数条数位线之电压至电源供应电压的一半；禁能参考阵列中的复数条字元线；以及预充主动阵列以及参考阵列中的复数条数位线之电压至电源供应电压。 | ||
| 申请公布号 | TWI523031 | 申请公布日期 | 2016.02.21 |
| 申请号 | TW103119373 | 申请日期 | 2014.06.04 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 史考特 德纳;查尔斯 英格尔斯;霍华 奇尔须;金太 |
| 分类号 | G11C7/12(2006.01);G11C11/4094(2006.01) | 主分类号 | G11C7/12(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 蔡坤财;李世章 | |
| 主权项 | 一种预先充电方法，应用于动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memories,DRAM)，包含：禁能一主动阵列中的复数条字元线；平衡该主动阵列以及一参考阵列中的复数条数位线之电压至一电源供应电压的一半；禁能该参考阵列中的复数条字元线；以及预充该主动阵列以及该参考阵列中的该些数位线之电压至该电源供应电压。 | ||
| 地址 | 桃园市龟山区华亚科技园区复兴三路669号 | ||