| 主权项 |
一种静电防护元件，形成于一半导体基板中，该半导体基板具有一上表面，该静电防护元件包含：一P型井区，形成于该上表面下；一闸极，形成于该上表面上，且部分该P型井区位于该闸极下方；一N型源极，形成于该上表面下之该P型井区中，由上视图视之，该N型源极位于该闸极一侧之外；一N型汲极，形成于该上表面下之该P型井区中，由上视图视之，该N型汲极位于该闸极另一侧之外；其中，该闸极将该N型源极与该N型汲极分开，该闸极包括：一介电层，形成于该上表面上，与该上表面连接；一堆叠层，形成于该介电层上，用以作为该闸极电性接点；以及一间隔层，形成于该堆叠层之侧壁外之该上表面上；以及一第一P型轻掺杂汲极，形成于该上表面下之该P型井区中，由上视图视之，部分该第一P型轻掺杂汲极位于该间隔层下方；其中该第一P型轻掺杂汲极与该N型汲极形成一PN接面，该PN接面为该静电防护元件接触静电的电压时，开始发生崩溃的位置，以触发该静电防护元件而引发释放静电程序。
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