铜内连结构及其制造方法

摘要

明揭露一种铜内连结构的制造方法，包括提供具有导电区域的基板，在基板上形成具有介层开口的绝缘层，介层开口暴露出导电区域。依序透过沉积及回流制程，在第一绝缘层上形成铜层，且填满介层开口。在铜层上形成罩幕层以覆盖介层开口，接着对未被罩幕层覆盖的铜层进行非等向性氧化。透过湿蚀刻制程去除罩幕层及氧化铜层，以形成位于介层开口的铜插塞及位于铜插塞上的铜接线。本发明亦揭露一种铜内连结构。

主权项

一种铜内连结构的制造方法，包括：提供具有一导电区域的一基板；在该基板上形成具有一介层开口的一第一绝缘层，其中该介层开口暴露出该导电区域；依序透过沉积及回流制程在该第一绝缘层上形成一铜层且填满该介层开口；在该铜层上形成一罩幕层，以覆盖该介层开口；对未被该罩幕层覆盖的该铜层进行非等向性氧化，其中在进行非等向性氧化期间施加偏压；透过一湿蚀刻制程去除该罩幕层及该氧化铜层，以形成位于该介层开口内的一铜插塞及位于该铜插塞上的一铜接线；以及在该第一绝缘层及该铜接线上顺应性覆盖一第二绝缘层，该第二绝缘层包括一低介电常数的阻障层。