| 发明名称 |
用于单侧粗糙化之方法 |
| 摘要 |
用于结晶的半导体基板(10)的单侧粗糙化之方法包含：提供基板(10)，例如半导体基板，其包含关于基板(10)而彼此相对的第一表面(12)与第二表面(14)；在基板(10)的第一表面(12)之上提供具有任意图案的遮罩层(21)；及，在抛光溶液中将基板(10)蚀刻，藉此在单个湿蚀刻步骤中使基板(10)的第一表面(12)粗糙化且将第二表面(14)抛光。 |
| 申请公布号 |
TWI523088 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
| 申请号 |
TW100104373 |
申请日期 |
2011.02.10 |
| 申请人 |
校际微电子中心;天主教鲁汶大学 |
发明人 |
帕亚帕堤 菲可特;约翰 杰奇 |
| 分类号 |
H01L21/304(2006.01);H01L21/306(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
| 主权项 |
一种用于基板的单侧粗糙化之方法，该种方法包含：提供切开(as-cut)的基板(10)，其包含关于切开的基板(10)而彼此相对的第一表面(12)与第二表面(14)；在该切开的基板(10)的第一表面(12)之上提供具有任意图案的遮罩层(21)；并且之后在抛光溶液中将该切开的基板(10)蚀刻；其中在抛光溶液中将该切开的基板(10)蚀刻包含在单个蚀刻步骤中使该切开的基板(10)的第一表面(12)粗糙化且将该切开的基板(10)的第二表面(14)抛光。
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| 地址 |
比利时;比利时 |
