| 发明名称 | 半导体制程 | ||
| 摘要 | 半导体制程，包含有下述步骤。首先，提供一半导体基底，其中半导体基底具有一图案化绝缘层，且图案化绝缘层之一开口曝露出半导体基底之一矽质区域。而后，形成一富矽层于开口之侧壁。然后，进行一磊晶制程，以形成一磊晶结构于开口内之矽质区域上。 | ||
| 申请公布号 | TWI523081 | 申请公布日期 | 2016.02.21 |
| 申请号 | TW101114896 | 申请日期 | 2012.04.26 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 廖晋毅;许嘉麟;谢咏伦;陈健豪;李柏轩;郑闵中 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种半导体制程，包含有：提供一半导体基底，该半导体基底具有一图案化绝缘层，且该图案化绝缘层之一开口曝露出该半导体基底之一矽质区域；形成一富矽层于该开口之侧壁；以及进行一磊晶制程，以形成一磊晶结构于该开口内之该矽质区域上，其中该磊晶结构依附该富矽层形成。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||