发明名称 |
具多单元阵列之半导体发光装置及制造其之方法 |
摘要 |
半导体发光装置,包括:基板;复数个发光单元,系排列于该基板上,每一该发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的主动层以发射蓝光;互连结构,系将该发光单元之该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之至少一者电性连接至另一发光单元之该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之至少一者;以及光转换元件,系形成于藉由复数个发光单元所定义之发光区域之至少一部份中,该光转换元件包括具有红光转换材料之红光转换元件及具有绿光转换材料之绿光转换元件之至少一者。 |
申请公布号 |
TWI523262 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
申请号 |
TW100103015 |
申请日期 |
2011.01.27 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
金制远;张泰盛;禹锺均;李锺昊 |
分类号 |
H01L33/08(2010.01);H01L33/48(2010.01);H01L33/50(2010.01);H01L27/15(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/08(2010.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 |
主权项 |
一种半导体发光装置,包含:基板;复数个发光单元,系排列于该基板上,该等发光单元各包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置于该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之间的主动层以发射蓝光;互连结构,系将该发光单元之该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之至少一者电性连接至另一发光单元之该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之至少一者;以及光转换元件,系形成于藉由该复数个发光单元所定义之至少一部份发光区域中,该光转换元件包括具有红光转换材料之红光转换元件以及具有绿光转换材料之绿光转换元件之至少一者,其中该互连结构包括一第一互连结构与一第二互连结构,且该第一互连结构与该第二互连结构其中至少一者,其具有之长度大于每一该发光单元的宽度,其中,该互连结构具有的长度大于每一该发光单元的宽度,该互连结构是被设置在该基板的除了该发光单元以外的区域。
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地址 |
南韩 |