具有源极－汲极侧壁间隔物并降低高度的鳍式场效电晶体

摘要

积体电路装置，包含半导体基板、延伸进入半导体基板的隔离区、突出于隔离区之上的半导体鳍片、闸极堆叠、以及鳍片间隔物。隔离区包含第一部分和第二部分，第一部分与第二部分位于半导体鳍片的相对两侧，其中半导体鳍片具有第一高度。闸极堆叠与半导体鳍片的中间部份重叠。鳍片间隔物位于半导体鳍片末端的侧壁上。鳍片间隔物具有第二高度，其中第一高度大于第二高度的两倍。

主权项

一种积体电路装置(integrated circuit device)，包含：一半导体基板；复数个隔离区，延伸进入该半导体基板；一半导体鳍片，突出于该些隔离区，其中该些隔离区包含一第一部分和一第二部分，该第一部分与该第二部分位于该半导体鳍片之相对两侧，其中该半导体鳍片具有从该些隔离区之上表面起算的一第一高度；一闸极堆叠，位于该半导体鳍片之一中间部分；以及一第一鳍片间隔物，位于该半导体鳍片之一末端之侧壁上，其中该第一鳍片间隔物具有从该些隔离区之上表面起算的一第二高度，其中该第一高度高于约两倍之该第二高度。