| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明揭露一种半导体装置，包括一主动区，位于一半导体基板内。一带状闸极横跨主动区上方。一阶差结构(jog)位于主动区上且连接至带状闸极，以形成一连续区域，其中阶差结构位于带状闸极的一侧上。一第一接触插塞与带状闸极位于一相同层位，其中第一接触插塞，位于带状闸极的该侧上。一第二接触插塞位于阶差结构及第一接触插塞上，其中第二接触插塞电性内连接至第一接触插塞及阶差结构。
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| 申请公布号 |
TWI523234 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
| 申请号 |
TW102140430 |
申请日期 |
2013.11.07 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
吴宗霖;谢东衡;郭俊铭;蒋敏雄;许哲源 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一主动区，位于一半导体基板内；一带状闸极，横跨该主动区上方；一阶差结构，位于该主动区上且连接至该带状闸极，以形成一连续区域，其中该阶差结构位于该带状闸极的一第一侧上；一第一接触插塞，与该带状闸极位于一相同层位，其中该第一接触插塞，位于该带状闸极的该第一侧上；以及一第二接触插塞，位于该阶差结构及该第一接触插塞上，其中该第二接触插塞电性内连接至该第一接触插塞及该阶差结构。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
