互补金氧半导体电晶体线性化之方法

摘要

用于取样一类比输入信号之电路可包含布置于一基板上之一电晶体及耦合至该电晶体之源极及汲极之一者之一取样电容器。该电晶体可布置于耦合至接地之一基板上。该电晶体之一源极及一汲极可布置于该电晶体之一背闸极中。可将该类比输入供应至该电晶体之该源极及该汲极之一者，且该背闸极可接收具有低于接地之一值之一背闸极电压。

主权项

一种电晶体，其包括：一井，其由一第一类型之掺杂材料之半导体材料制成，该井耦合至一背闸极终端，源极及汲极终端，其等各自耦合至与该第一类型互补之一第二类型之掺杂材料之各自区域，该等区域各自设置于该井内，及一闸极终端，其设置于半导体基板上方延伸于该源极区域与该汲极区域之间之一区域中，其中当该电晶体接通时该背闸极终端耦合至一参考电压源，及当该电晶体断开时该背闸极终端没有耦合至该参考电压源，该参考电压源具有超出待藉由该电晶体自该源极终端携载至该汲极终端之一信号之一电压限制之一电压。