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经营范围
发明名称
电浆蚀刻方法
摘要
明的课题是在于提供一种在电浆蚀刻磁性膜的电浆蚀刻方法中,不拘遮罩的开口尺寸,可取得所望的蚀刻深度之电浆蚀刻方法。 本发明系以钽作为遮罩来电浆蚀刻磁性膜的电浆蚀刻方法,其特征系具有:第一工程,其系使用氨气与氦气的混合气体来将前述磁性膜电浆蚀刻至所望的深度;及第二工程,其系于前述第一工程后,使用氨气与含有氧元素的气体的混合气体或氨气与含有氢氧基的气体的混合气体来电浆蚀刻前述被蚀刻至所望的深度的磁性膜。
申请公布号
TWI523101
申请公布日期
2016.02.21
申请号
TW102100229
申请日期
2013.01.04
申请人
日立全球先端科技股份有限公司
发明人
阿部高广;山本直広;山田健太郎;须山淳;藤田大介
分类号
H01L21/3065(2006.01)
主分类号
H01L21/3065(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
一种电浆蚀刻方法,系以钽作为遮罩来电浆蚀刻磁性膜的电浆蚀刻方法,其特征系具有:第一工程,其系使用氨气与氦气的混合气体来将前述磁性膜电浆蚀刻至所望的深度;及第二工程,其系于前述第一工程后,使用氨气与含有氧元素的气体的混合气体或氨气与含有氢氧基的气体的混合气体来电浆蚀刻前述被蚀刻至所望的深度的磁性膜,前述第二工程的处理压力系比前述第一工程的处理压力低。
地址
日本
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