蚀刻方法、蚀刻装置及环组件

摘要

明之蚀刻方法，包含下述制程：将基板搬入处理容器内而载置于载置台之制程；在将至少表面部之主成分与基板之被蚀刻膜主成分为相同材质之环组件围绕基板来配置之状态下，自与基板呈对向之气体供给部将处理气体以淋洒状喷出，并将处理气体电浆化来对被蚀刻膜进行蚀刻之制程；以及对该处理容器内经由排气通路以进行抽真空之制程。藉此，可抑制于基板周边部附近之电浆活性种的分布不均。

主权项

一种蚀刻方法，系对基板上之被蚀刻膜进行乾式蚀刻者；其特征在于包含下述制程：判断该被蚀刻膜为有机膜或金属膜之制程；将该基板搬入处理容器内而载置于载置台，且以环组件会围绕该基板的方式来加以配置之制程；在判断该被蚀刻膜为有机膜时，让有机化合物沉积于该环组件，在判断该被蚀刻膜为金属膜时，让金属、金属氮化物以及金属氧化物中的一种沉积于该环组件之制程；以及在该环组件围绕该基板配置之状态下，藉由处理气体来蚀刻该被蚀刻膜之制程。