发明名称 双面研磨方法
摘要 明是一种双面研磨方法,其以黏贴有研磨布之上下平台来夹入被保持于载具上之晶圆,并使载具自转及公转,一边供给研磨剂一边同时研磨晶圆的双面来进行晶圆的双面研磨,其特征在于:具有第1研磨步骤,其以高研磨速率进行研磨;及第2研磨步骤,其继而以低研磨速率进行研磨;并且包含:于研磨后测定晶圆的平坦度之步骤;及基于平坦度的测定结果,设定下次研磨时的第2研磨步骤的研磨条件之步骤。藉此提供一种双面研磨方法,其不受载具厚度的经时变化影响,而可稳定地改善晶圆的平坦度。
申请公布号 TWI523094 申请公布日期 2016.02.21
申请号 TW101138724 申请日期 2012.10.19
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 青木一晃;大叶茂
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项 一种双面研磨方法,其以黏贴有研磨布之上下平台来夹入被保持于载具上之晶圆,并使前述载具自转及公转,一边供给研磨剂一边同时研磨前述晶圆的双面来进行晶圆的双面研磨,其特征在于:具有第1研磨步骤,其以高研磨速率进行研磨;及第2研磨步骤,其继而以低研磨速率进行研磨;并且包含:于研磨后测定前述晶圆的平坦度之步骤;及基于前述平坦度的测定结果,设定下次研磨时的前述第2研磨步骤的研磨条件之步骤;其中,作为前述测定之平坦度,为穿过前述晶圆的中心之剖面形状之整体的平坦度、与前述晶圆的外周部的塌边形状或翘起形状之外周部的平坦度;并且,于设定前述第2研磨步骤的研磨条件之步骤中,当前述外周部的平坦度的结果为翘起形状时,以相较于前次研磨时,减少前述研磨负载,且增加前述上下平台的转速与前述载具的自转转速及公转转速之方式来设定前述研磨条件;当前述外周部的平坦度的结果为塌边形状时,以相较于前次研磨时,增加前述研磨负载,且减少前述上下平台的转速与前述载具的自转转速及公转转速之方式来设定前述研磨条件。
地址 日本