制造半导体结构的方法

摘要

示提供制造半导体结构的方法，此方法包含形成第一光阻层于基底上，形成第二光阻层于第一光阻层之上，以及对第一光阻层和第二光阻层进行微影曝光制程，藉此在第一光阻层内形成第一潜在特征，并且在第二光阻层内形成第二潜在特征。

主权项

一种制造半导体结构的方法，包括：形成一第一光阻层于一基底上；形成一第二光阻层于该第一光阻层之上；以及对该第一光阻层和该第二光阻层进行一微影曝光制程，藉此在该第一光阻层内形成一第一潜在特征，并且在该第二光阻层内形成一第二潜在特征，其中在朝向该基底的一上视图中，该第二潜在特征与该第一潜在特征重叠。