| 主权项 |
一种积体电路，包含：一主电力轨；一虚拟主电力轨，该虚拟主电力轨由一或多个第一操作模式电晶体与一或多个第一保持模式电晶体连接至该主电力轨；一接地电力轨；一虚拟接地电力轨，该虚拟接地电力轨由一或多个第二操作模式电晶体与一或多个第二保持模式电晶体连接至该接地电力轨；组合逻辑电路系统，该组合逻辑电路系统连接于该虚拟主电力轨与该虚拟接地电力轨之间；讯号值储存电路系统，该讯号值储存电路系统连接于以下之一者之间：(a)该主电力轨与该虚拟接地电力轨之间；以及(b)该虚拟主电力轨与该接地电力轨之间；以及电力控制电路系统，该电力控制电路系统耦接至(并经设置以控制)该一或多个第一操作模式电晶体、该一或多个第一保持模式电晶体、该一或多个第二操作模式电晶体与该一或多个第二保持模式电晶体，而使：(i)在一操作模式中，该一或多个第一操作模式电晶体与该一或多个第二操作模式电晶体位于一低阻抗状态中，以提供一操作电压差异，该操作电压差异足以支持
跨该组合逻辑电路系统与该讯号值储存电路系统的资料处理操作与讯号值保持；(ii)在一保持模式中，该一或多个第一操作模式电晶体与该一或多个第二操作模式电晶体位于一高阻抗状态中，且该一或多个第一保持模式电晶体与该一或多个第二保持模式电晶体位于一低阻抗状态中，以提供一低电力电压差异与一保持电压差异，该低电力电压差异不足以支持跨该组合逻辑电路系统的资料处理操作，而该保持电压差异大于该低电力电压差异且足以支持跨该讯号值储存电路系统的讯号值保持；以及(iii)在一电力关闭模式中，该一或多个第一操作模式电晶体、该一或多个第二操作模式电晶体、该一或多个第一保持模式电晶体与该一或多个第二保持模式电晶体位于一高阻抗状态中，以提供一电力关闭电压差异，该电力关闭电压差异不足以支持跨该组合逻辑电路系统与该讯号值储存电路系统的资料处理操作与讯号值保持。
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