薄膜电晶体及其制作方法

摘要

明系揭露一种薄膜电晶体及其制作方法，首先形成底部具有之闸极介电层之一图案化介电遮罩结构于一闸极堆叠结构上，以利用闸极介电层覆盖闸极堆叠结构之闸极。由于图案化介电遮罩结构之顶面具有至少二开口，因此透过此二开口藉由溅镀沉积形成一半导体层于闸极介电层上，半导体层包含位于闸极上方之通道区，及位于开口下方之源极区与汲极区，通道区之厚度自边界往递减。本发明利用微影蚀刻的方式制作，能轻易达到深次微米尺度、高均匀性及高制程灵活度之目的。此外，亦与传统制程相容，有利于面板与电路上的制作。

主权项

一种薄膜电晶体之制作方法，包含下列步骤：形成一图案化介电遮罩结构于一闸极堆叠结构上，以覆盖该闸极堆叠结构之闸极，该图案化介电遮罩结构之顶面具有至少二开口，其系对应于该闸极之两侧的上方；以及透过该二开口形成一半导体层于该图案化介电遮罩结构上，该半导体层包含一通道区及其相异两侧之源极区与汲极区，且该通道区位于该闸极上方，该通道区之厚度自边界往中央递减。