| 发明名称 |
化合物半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
AlGaN/GaN HEMT包含化合物半导体堆叠结构；在化合物半导体堆叠结构上划分元件区的元件隔离结构；在元件区上形成而不在元件隔离结构上形成的第一绝缘膜；至少在元件隔离结构上形成并且含氢量高于第一绝缘膜的第二绝缘膜；以及穿过(via)第二绝缘膜在化合物半导体堆叠结构之元件区上形成的闸极电极。
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| 申请公布号 |
TWI523221 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
| 申请号 |
TW102109436 |
申请日期 |
2013.03.18 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
吉川俊英 |
| 分类号 |
H01L29/778(2006.01);H01L21/338(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种化合物半导体装置，其包括：氮化物半导体区；在该氮化物半导体区上划分元件区之元件隔离结构；在该元件区上形成并且未在该元件隔离结构上形成的第一绝缘膜；以及至少在该元件隔离结构上形成并且含氢量高于该第一绝缘膜的第二绝缘膜。
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| 地址 |
日本 |
