| 主权项 |
一种CMOS半导体晶片，包括：一基材；一绝缘层，位于该基材之一主要表面上；复数个P型金属闸极区，形成于该绝缘层中，并覆盖该主要表面之一第一区域；复数个N型金属闸极区，形成于该绝缘层中，并覆盖该主要表面之一第二区域，其中该第一区域相对于该第二区域具有一第一比例，且该第一比例大于或等于1；复数个虚置P型金属闸极区，形成于该绝缘层中，并覆盖该主要表面之一第三区域；以及复数个虚置N型金属闸极区，形成于该绝缘层中，并覆盖该主要表面之一第四区域，其中该第三区域相对于该第四区域具有一第二比例，且该第二比例实质上等于该第一比例，其中该些虚置P型金属闸极区包含一第一金属材料，该些虚置N型金属闸极区包含一第二金属材料，且该第一金属材料异于该第二金属材料。
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