使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极／汲极区之半导体设备的方法

摘要

个例子中，在此揭露之方法的步骤包括：形成第一电晶体和第二电晶体的闸极结构于半导体基板之上；形成衬垫层于该闸极结构之上及进行复数个延伸离子植入制程通过该衬垫层，以形成延伸植入区于用于该第一电晶体和该第二电晶体之该基板中。该方法复包括形成接近于该第一电晶体的该闸极结构的第一侧壁间隔件，及位于该第二电晶体之上的图案化硬遮罩层；进行至少一道蚀刻制程，以移除该第一侧壁间隔件、该硬遮罩层和该衬垫层；形成接近于该等闸极结构二者的第二侧壁间隔件，以及进行复数个源极/汲极离子植入制程，以形成深源极/汲极植入区于用于该第一电晶体和该第二电晶体的该基板中。

主权项

一种用以制造半导体设备之方法，系包括：形成用于第一电晶体之闸极结构与用于第二电晶体之闸极结构在半导体基板之上；形成衬垫层于用于该第一和第二电晶体之该等闸极结构与该半导体基板之上；于形成第一侧壁间隔件前，进行复数个延伸离子植入制程通过该衬垫层，以形成延伸植入区于用于该第一电晶体和该第二电晶体的该基板中；形成接近于用于该第一电晶体之该闸极结构的该第一侧壁间隔件，及形成图案化硬遮罩层，其系覆盖该闸极结构与在该第二电晶体之该半导体基板的主动区域；进行至少一道蚀刻制程，以移除至少位于相邻于该第一电晶体之该闸极结构的该第一侧壁间隔件、位于该第二电晶体之上之该图案化硬遮罩层以及该衬垫层；在进行该至少一道蚀刻制程后，形成接近于该第一电晶体之该闸极结构和该第二电晶体之该闸极结构二者的第二侧壁间隔件；以及该第二侧壁间隔件在适当位置时，进行复数个源极/汲极离子植入制程，以形成深源极/汲极植入区于用于该第一电晶体和该第二电晶体的该基板中。