制造复数个光电半导体晶片之方法及光电半导体晶片

摘要

明提供一种制造复数个半导体晶片(1)之方法，其中层复合组件(10)具有主平面(3)，其限定该层复合组件(10)于垂直方向，并包含具有用于产生及/或探测辐射之主动区域(20)的半导体层序列(2)，其中自该主平面(3)朝该主动区域(20)之方向延伸的复数个凹处(31)系形成于该层复合组件(10)中。平坦层系形成于该主平面(3)上，使得该凹处至少部分地以该平坦层(6)之材料填补。至少区域性地移除该平坦层(6)之材料以推平该平坦层。完成该半导体晶片(1)，其中，就该半导体晶片(1)而言，至少有一个半导体基体(200)自该半导体层序列(2)显露。

主权项

一种用于制造复数个光电半导体晶片(1)之方法，包含下列步骤：(a)设置具有主平面(3)之层复合组件(10)，该主平面(3)限定该层复合组件(10)于垂直方向，并包含具有用于产生及/或探测辐射之主动区域(20)之半导体层序列(2)，其中，由该主平面朝该主动区域方向延伸之复数个凹处(31)形成于该层复合组件中；(b)形成平坦层(6)于该主平面(3)上，使得该凹处(31)至少部分地以该平坦层之材料填补；(c)为推平该平坦层(6)，至少区域性地移除该平坦层(6)之材料，且该半导体层序列系藉由直接接合连接方式固定于载体，其中，该层复合组件系藉由该平坦层以提供用以该直接接合连接至该载体之平坦表面的方法之方式推平；以及(d)完成该半导体晶片(1)，其中，就每一半导体晶片而言，至少有一个半导体基体(200)自该半导体层序列(2)显露。