发明名称 多晶晶碇的切割方法
摘要 多晶晶碇的切割方法包含(A)制备坩埚,坩埚具底壁及围绕底壁以界定出容室的周壁,底壁具二维的平台区阵列,二维的平台区阵列具多数沿第一、二方向依序轮流设置的第一、二平台区,各相邻第一、二平台区间界定出切割线段,且切割线段定义出多数沿第一、二方向延伸的第一、二开方线,各第一、二平台区沿底壁的厚度方向各具第一、二厚度T1、T2,T1>T2;(B)融熔填于容室中的起始原料使成为熔汤;(C)定向凝固熔汤使成为多晶晶碇并于多晶晶碇底部转写有二维的平台区阵列与第一、二开方线;及(D)沿各第一、二开方线纵向切割多晶晶碇以成多数晶砖。
申请公布号 TWI522220 申请公布日期 2016.02.21
申请号 TW102121137 申请日期 2013.06.14
申请人 昱成光能股份有限公司 发明人 邵任民;余明儒;王峻声;洪羿达
分类号 B28D5/00(2006.01) 主分类号 B28D5/00(2006.01)
代理机构 代理人 高玉骏;杨祺雄
主权项 一种多晶晶碇的切割方法,包含:一步骤(A):制备一坩埚,该坩埚具有一个底壁及一个围绕该底壁的一周缘并与该底壁共同界定出一个容室的周壁,该底壁具有一个二维的平台区阵列,该二维的平台区阵列具有多数个第一平台区及多数个第二平台区,该等第一平台区与该等第二平台区是沿一第一方向依序轮流设置并沿一第二方向依序轮流设置,每相邻第一平台区与第二平台区间共同界定出一切割线段,该等切割线段定义出多数条沿该第一方向延伸的第一开方线,及多数条沿该第二方向延伸的第二开方线,且各第一平台区与各第二平台区沿该底壁的一厚度方向分别具有一第一厚度T1与一第二厚度T2,T1>T2;一步骤(B):融熔填入于该容室中的一起始原料使成为一熔汤;一步骤(C):定向凝固该熔汤使成为一多晶晶碇,并于该多晶晶碇底部转写有该二维的平台区阵列、该等第一开方线及该等第二开方线;及一步骤(D):沿该等第一开方线与第二开方线纵向切割该多晶晶碇以成多数晶砖。
地址 苗栗县苗栗市中华路889号