微晶半导体膜的形成方法及半导体装置的制造方法

摘要

明的一个实施例是如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的种晶，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在种晶上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。

主权项

一种微晶半导体膜的制造方法，包含：在绝缘膜上形成包括混合相微粒的种晶，而在该混合相微粒间设置有空隙；在将氢流量设定为含有矽的沉积气体流量的大于或等于100倍且小于或等于2000倍来稀释该沉积气体，且将该处理室内的压力设定为大于或等于1333Pa且小于或等于13332Pa的第一条件下，藉由电浆CVD法在该种晶上形成第一微晶半导体膜，以使该混合相微粒生长而充填设置在该混合相微粒之间的空隙；以及在使含有矽的沉积气体与氢的流量比交替增减，将氢和含有矽的沉积气体供应到该处理室内，并且将该处理室内的压力设定为大于或等于1333Pa且小于或等于13332Pa的第二条件下，藉由电浆CVD法在该第一微晶半导体膜上形成第二微晶半导体膜，而不增加设置在该第一微晶半导体膜所包含的该混合相微粒之间的空隙。