| 发明名称 |
ＩＴＯ溅镀靶材及其制造方法 |
| 摘要 |
明系关于一种ITO烧结体、及包含该ITO烧结体之ITO溅镀靶材，该ITO烧结体之Sn含量换算SnO2量为2.5至10.0质量%，该ITO烧结体具有In2O3母相与存在于该In2O3母相之粒界之In4Sn3O12相，相对密度为98.0%以上，前述In2O3母相之平均粒径为17μm以下，该ITO烧结体的剖面中之前述In4Sn3O12相之面积率为0.4%以上。本发明之ITO烧结体在加工步骤中不易产生破裂、变形等。本发明之ITO溅镀靶材在对基材之接合步骤中不易产生破裂、变形等。因此，本发明之ITO烧结体及ITO溅镀靶材可提升制造产率。
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| 申请公布号 |
TWI522332 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
| 申请号 |
TW104105247 |
申请日期 |
2015.02.16 |
| 申请人 |
三井金属鑛业股份有限公司 |
发明人 |
寺村享佑;武内朋哉 |
| 分类号 |
C04B35/01(2006.01);C04B35/457(2006.01);C23C14/35(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/01(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种ITO烧结体，该ITO烧结体之Sn含量换算SnO2量为2.5至10.0质量%，并且具有In2O3母相与存在于该In2O3母相之粒界之In4Sn3O12相，而相对密度为98.0%以上，前述In2O3母相之平均粒径为3μm以上17μm以下，该ITO烧结体之剖面中之前述In4Sn3O12相之面积率为0.4%以上5%以下。
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| 地址 |
日本 |
