半导体装置的制造方法

摘要

明提供一种半导体装置的制造方法，其对一个表面进行雷射照射而活性化杂质时，能够抑制相反侧表面的温度上升。在于第1面形成有半导体元件且于第2面侧的表层部添加杂质之半导体基板之前述第2面，使射出自半导体雷射振荡器射出且具有第1脉冲宽度之第1雷射脉冲射入。使具有第1脉冲宽度的1/10以下的第2脉冲宽度之第2雷射脉冲，重叠到第1雷射脉冲的射入区域并射入。设定第1雷射脉冲的下降时刻与第1雷射脉冲的上升时刻在时间轴上的相对位置关系，使得藉由第1雷射脉冲及第2雷射脉冲的射入而上升之第1面的温度不超过预先决定之容许上限值。

主权项

一种半导体装置的制造方法，具有：在于第1面形成有半导体元件且于第2面侧的表层部添加杂质之半导体基板之前述第2面，使射出自半导体雷射振荡器且具有第1脉冲宽度之第1雷射脉冲射入之制程；及使具有前述第1脉冲宽度的1/10以下的第2脉冲宽度之第2雷射脉冲，重叠到前述第1雷射脉冲的射入区域并射入之制程；设定前述第1雷射脉冲的下降时刻与前述第2雷射脉冲的上升时刻在时间轴上的相对位置关系，使得藉由前述第1雷射脉冲及前述第2雷射脉冲的射入而上升之前述第1面的温度不超过预先决定之容许上限值。