具有金属源极及汲极区的半导体装置

摘要

具有金属源极和汲极区的半导体装置。举例而言，半导体装置包含配置在基底的半导体通道区上方的闸极电极堆叠。金属源极和汲极区配置在半导体通道区的任一侧上的基底上方。各金属源极和汲极区具有轮廓。第一半导体外扩散区配置在半导体通道区与金属源极区之间的基底中，以及与金属源极区的轮廓保形。第二半导体外扩散区配置在半导体通道区与金属汲极区之间的基底中，以及与金属汲极区的轮廓保形。

主权项

一种半导体装置，包括：闸极电极堆叠，配置在基底的半导体通道区上方；金属源极和汲极区，配置在该半导体通道区的任一侧上之该基底上方，各该金属源极和汲极区均具有轮廓，该金属源极和汲极区是由与经过掺杂的半导体材料相反的金属材料构成；第一半导体外扩散区，配置在该半导体通道区与该金属源极区之间的该基底中，且与该金属源极区的该轮廓保形；以及第二半导体外扩散区，配置在该半导体通道区与该金属汲极区之间的该基底中，且与该金属汲极区的该轮廓保形。