| 发明名称 |
记忆体电路及其操作方法 |
| 摘要 |
方法中，决定被追踪电路之记忆体单元之电流值。此记忆体单元系与一资料线耦接。决定追踪电路之追踪记忆体单元之追踪电流值。此追踪记忆体单元系与一追踪资料线耦接。基于该被追踪电路之电晶体之电流值、记忆体单元之电流值及追踪记忆体单元之追踪电流值来决定追踪电路之电晶体之电流值。被追踪电路之讯号系基于该追踪电路之讯号而产生。
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| 申请公布号 |
TWI523010 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
| 申请号 |
TW103145043 |
申请日期 |
2014.12.23 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
许国原;林松杰 |
| 分类号 |
G11C11/419(2006.01);G11C5/14(2006.01);G11C7/14(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/419(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种记忆体电路操作方法，包含：决定一被追踪电路(tracked circuit)之一记忆体单元(memory cell)之一电流值，该记忆体单元系与一资料线耦接；决定一追踪电路(tracking circuit)之一追踪记忆体单元之一追踪电流值，该追踪记忆体单元系与一追踪资料线耦接；以及基于该被追踪电路之一电晶体之一电流值、该记忆体单元之该电流值及该追踪记忆体单元之该追踪电流值来决定该追踪电路之一电晶体之一电流值；其中该被追踪电路之一讯号系基于该追踪电路之一讯号而产生。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
