发明名称 |
座标检测器之制造方法 |
摘要 |
明揭示一种具有一电阻膜及用于施加一电压于该电阻膜的一共同电极之一座标检测器之制造方法,该方法包括下列步骤:(a)施加一光阻至形成于由一绝缘体形成的一基板上之电阻膜上;(b)藉由透过一预定遮罩曝露该施加光阻于光且随后显影该施加光阻而于该电阻膜上形成一光阻图案;(c)藉由移除没有该光阻图案的该电阻膜之一部分来形成一电阻膜移除区;(d)在步骤(c)之后移除该光阻图案;以及(e)在步骤(d)之后形成该共同电极于该电阻膜移除区之上。 |
申请公布号 |
TWI522883 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
申请号 |
TW098116055 |
申请日期 |
2009.05.14 |
申请人 |
富士通电子零件有限公司 |
发明人 |
近藤幸一 |
分类号 |
G06F3/045(2006.01);G03F7/20(2006.01) |
主分类号 |
G06F3/045(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种一座标检测器之制造方法,该座标检测器具有一电阻膜及用于施加一电压于该电阻膜的一单一共同电极,该方法包含下列步骤:(a)施加一光阻至形成于由一绝缘体形成之一基板上的该电阻膜上;(b)藉由透过一预定遮罩对施加之该光阻进行曝光且随后对施加之该光阻进行显影而于该电阻膜上形成一光阻图案;(c)藉由移除没有该光阻图案的该电阻膜之一部分来形成复数个电阻膜移除区;(d)在该步骤(c)之后移除该光阻图案;以及(e)在该步骤(d)之后形成该单一共同电极于该复数个电阻膜移除区之上。
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地址 |
日本 |