| 发明名称 |
OXYGEN PRECIPITATION IN HEAVILY DOPED SILICON WAFERS SLICED FROM INGOTS GROWN BY THE CZOCHRALSKI METHOD |
| 摘要 |
약 10 밀리옴-㎝ 미만의 웨이퍼 저항률을 갖는 단결정 실리콘 웨이퍼에 산소 침전을 제어하는 방법이 제공되어 상기 웨이퍼는 중심 축으로부터 원주 엣지까지 균일하게 높은 산소 침전 거동을 갖게 된다. 단결정 실리콘 웨이퍼는 탄소, 비소 및 안티모니 중에서 선택된 추가 도펀트를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160019495(A) |
申请公布日期 |
2016.02.19 |
| 申请号 |
KR20167000402 |
申请日期 |
2014.05.23 |
| 申请人 |
SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED |
发明人 |
FALSTER ROBERT J.;VORONKOV VLADIMIR V. |
| 分类号 |
H01L21/322;H01L21/02;H01L21/223;H01L21/324;H01L21/78;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L21/322 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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