| 摘要 |
본 발명의 목적은, 층간 절연막의 일부에 산화 실리콘막보다 유전율이 낮은 저유전율막을 사용하는 경우라도, 반도체 장치의 신뢰성을 향상할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다. 구체적으로, 이 목적을 실현하기 위해, 제1 파인층을 구성하는 층간 절연막(IL1)을 중(中)영률막으로 형성하고 있으므로, 일체화한 고(高)영률층(반도체 기판(1S)과 컨택트 층간 절연막(CIL))과, 제2 파인층을 구성하는 층간 절연막(저영률막, 저유전율막)(IL2)을 직접 접촉시키지 않고 분단할 수 있어, 응력을 분산시킬 수 있다. 이 결과, 저(低)영률막으로 구성되는 층간 절연막(IL2)의 막 벗겨짐을 방지할 수 있어, 반도체 장치의 신뢰성을 향상할 수 있다. |
