| 摘要 |
본 발명은 각각 상기 헤테로구조물(12) 내에 정공들 및 전자들을 전도시키기 위해 작용하는 복수의 p-타입 및 n-타입의 반도체 물질 층들(15, 15', 15", 15"'), 및 각각 하나의 상기 p-타입 반도체 물질 층과 하나의 상기 n-타입 반도체 물질 층(15, 15', 15", 15"') 사이에, 이들과 직접적으로 접촉하게 삽입된 적어도 두 개의 방출 물질 층들(16, 16', 16")로 구성된 반도체 헤테로구조물(12)이 존재하는 전기발광 유기 트랜지스터(1)에 관한 것이다. |
